Транзистор WAYON WMQ26P02TS P-MOSFET, 20 Вт, корпус PDFN3030-8 — набор 50 шт.

P-канальный полевой транзистор WAYON WMQ26P02TS в корпусе для поверхностного монтажа PDFN3030-8. Максимальная мощность рассеивания составляет 20 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 17 мОм.

• Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
• Тип монтажа: поверхностный (SMD)
• Корпус: PDFN3030-8
• Максимальная мощность рассеивания: 20 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 17 мОм
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 В
• Количество в комплекте: 50 шт.

Электрические параметры

Транзистор является полевым (MOSFET) с P-каналом. Согласно данным, максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) составляет 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 17 мОм, что определяет потери мощности при протекании тока.

Конструкция и монтаж

Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Корпус выполнен в типоразмере PDFN3030-8. Максимальная мощность рассеивания, которую может выдержать транзистор, составляет 20 Вт.

Дополнительные характеристики из источника магазина

Согласно данным магазина, импульсный ток стока (Idm) составляет -104 А, а заряд затвора — 12 нКл. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode). Товар поставляется набором, содержащим 50 штук транзисторов.