Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ4N150D1, 1,5 кВ, 4 А, TO247-3 (WMJ4N150D1-CYG) — набор 10 шт.

Транзистор WAYON WMJ4N150D1 — это полевой транзистор типа N-MOSFET в корпусе TO247-3. Модель изготовлена по технологии WMOS™ D1 и предназначена для работы с напряжением до 1,5 кВ.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
• Максимальное напряжение: 1,5 кВ
• Ток стока: 4 А (импульсный 16 А)
• Мощность рассеивания: 125 Вт
• Корпус: TO247-3, штыревой монтаж
• Технология: WMOS™ D1
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 30 В, а ток стока — 4 А. В импульсном режиме ток может достигать 16 А. Максимальная мощность рассеивания равна 125 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 5400 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет штыревой тип монтажа и выполнен в корпусе TO247-3. Канал транзистора является обогащенного типа, а полярность — униполярной. Заряд затвора составляет 41 нКл.

Комплектация и идентификация

В комплекте поставляется 10 шт. транзисторов. Символ TME для этой модели — WMJ4N150D1-CYG.