P-канальный полевой транзистор WAYON WMB95P06TS в корпусе PDFN5060-8. Предназначен для поверхностного монтажа, имеет максимальную мощность рассеивания 125 Вт.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 10 мОм
- Корпус: PDFN5060-8
- Тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом p-типа. Максимальная мощность рассеивания составляет 125 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 10 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В.
Дополнительные характеристики тока и заряда
Максимальный импульсный ток стока (Idm) составляет -344 А. Заряд затвора равен 58,4 нКл. Канал является обогащаемым, а полярность — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 650 ₴

