Транзистор WAYON WMB080N10HG2, N-MOSFET, 100 В, 47 А, PDFN5060-8 (30 шт.)

Транзистор WAYON WMB080N10HG2 — это полевой N-MOSFET в корпусе PDFN5060-8. Комплект содержит 30 единиц. Ключевые параметры: напряжение сток-исток 100 В, ток стока 47 А, мощность рассеивания 80,6 Вт.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 47 А
• Максимальная мощность рассеивания: 80,6 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 8 мОм
• Корпус: PDFN5060-8
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и максимально допустимый ток стока 47 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 80,6 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 8 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.

Конструкция и монтаж

Устройство является полевым транзистором с поверхностным монтажом (SMD). Корпус — PDFN5060-8. Канал типа «wzbogacany» (обогащенный), поляризация — униполярная.

Импульсные характеристики и заряд затвора

В комплекте поставляется 30 транзисторов.