P-MOSFET транзистор WAYON WM04P50M в корпусе SOT23. Комплект состоит из 60 штук.
- Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
- Корпус: SOT23
- Максимальная мощность рассеивания: 1,2 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 85 мОм
- Тип монтажа: Поверхностный
- Количество в комплекте: 60 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом p-типа. Максимальная мощность рассеивания составляет 1,2 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В.
Сопротивление и монтаж
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 85 мОм. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Корпус компонента — SOT23. Полярность транзистора — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 1.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 010 ₴

