Транзистор WAYON WM02P160R, P-MOSFET, -20 В, -16 А, DFN2020-6 (WM02P160R-CYG) — набор 40 шт.

P-канальный полевой транзистор WAYON WM02P160R в корпусе DFN2020-6. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток -20 В и ток стока -16 А.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
• Ток стока: -16 А, импульсный: -64 А
• Мощность рассеивания: 6,5 Вт
• Корпус: DFN2020-6, монтаж: поверхностный
• Сопротивление в открытом состоянии: 17 мОм
• Напряжение затвор-исток: 10 В
• Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «обогащенный» и униполярной проводимостью. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 6,5 Вт. Импульсный ток стока (Idm) достигает -64 А, а заряд затвора — 28 нКл.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе DFN2020-6. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 17 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 10 В.

Комплектация

В наборе поставляется 40 шт. транзисторов. Символ TME для этой модели — WM02P160R-CYG.