Транзисторный модуль IGBT VISHAY VS-GT100DA120UF, 1,2 кВ, 100 А, SOT227B
3 890 ₴
- В наличии
- Код: TM207596
Транзисторный модуль IGBT VISHAY VS-GT100DA120UF, 1,2 кВ, 100 А, SOT227BВ наличии
3 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзисторный модуль IGBT VISHAY VS-GT100DA120UF в корпусе SOT227B. Структура — один транзистор, максимальное обратное напряжение — 1,2 кВ, ток Ic — 100 А.
- Тип: модуль IGBT, один транзистор
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Ток Ic: 100 А
- Напряжение затвор – эмиттер: ±20 В
- Корпус: SOT227B
- Монтаж: винтовой
Электрические параметры
Напряжение затвор – эмиттер составляет ±20 В. Модуль изготовлен по технологии Trench и имеет встроенный антипараллельный диод.
Конструкция и монтаж
Механический монтаж — винтовой, электрическое подключение — также винтовое.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимально допустимый ток коллектора | 240 А |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | SOT227B |
Информация для заказа
- Цена: 3 890 ₴