Транзистор ONSEMI UJ4C075060K4S — это комплект из двух полевых транзисторов технологии SiC. Приборы имеют максимальное напряжение сток-исток 750 В и ток стока 20,6 А.
- Технология SiC (карбид кремния)
- Максимальное напряжение сток-исток: 750 В
- Максимальный ток стока: 20,6 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 147 мОм
- Корпус: TO247-4
- В комплекте: 2 шт.
Электрические параметры
Транзисторы работают с максимально допустимым напряжением сток-исток 750 В и напряжением затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока составляет 20,6 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 147 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 155 Вт.
Конструкция и монтаж
Компоненты изготовлены по технологии SiC (карбид кремния) в корпусе TO247-4. Тип монтажа — выводной (THT). Транзисторы являются полевыми, с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией.
Дополнительные характеристики и комплектация
В наборе поставляется 2 транзистора. Заряд затвора составляет 37,8 нКл, а импульсный ток стока — 62 А.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 155 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 750 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 147 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 140 ₴

