Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR RLG, 60В, 16А, PDFN56U (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR RLG — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 16 А. Прибор выполнен в корпусе для поверхностного монтажа PDFN56U и имеет максимальную мощность рассеивания 45 Вт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 16 А
• Максимальная мощность рассеивания: 45 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 4.8 мОм
• Корпус: PDFN56U (поверхностный монтаж)
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 16 А, что определяет рабочий диапазон устройства. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 4.8 мОм, что влияет на тепловые потери при коммутации. Общий заряд затвора — 105 нКл.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет тип монтажа для поверхностного монтажа и выполнен в корпусе PDFN56U. Это однополярный (unipolar) прибор с каналом обогащения (enhancement). Максимальная мощность рассеивания ограничена 45 Вт, что учитывается при расчете системы охлаждения.

Комплектация и идентификация

В комплект поставки входит 10 шт. транзисторов.