Транзистор N-MOSFET TOSHIBA TK65E10N1, 100В, 148А, 192Вт, TO220-3 (TK65E10N1,S1X (TK65E10N1,S1X — набор 20 шт.
2 630 ₴
- В наличии
- Код: TM207058
Транзистор N-MOSFET TOSHIBA TK65E10N1, 100В, 148А, 192Вт, TO220-3 (TK65E10N1,S1X (TK65E10N1,S1X — набор 20 шт.В наличии
2 630 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET TOSHIBA TK65E10N1 — полевой транзистор со встроенным каналом в корпусе TO220-3. Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 148 А
- Максимальная мощность рассеивания: 192 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 4 мОм
- Корпус: TO220-3
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а максимально допустимый ток стока — 148 А. В импульсном режиме ток может достигать 296 А. Максимальная мощность рассеивания равна 192 Вт.
Сопротивление и управление затвором
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 4 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Общий заряд затвора — 81 нКл.
Комплектация
В комплекте 20 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимальная мощность рассеивания | 192 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 148 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 630 ₴