Транзистор N-MOSFET Toshiba TK31E60W, 600 В, 30,8 А, TO220AB (TK31E60W,S1VX (TK31E60W,S1VX — набор 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Toshiba TK31E60W — это полевой транзистор с каналом типа обогащение (enhancement) в корпусе TO220AB. Модель рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 30,8 А при мощности рассеивания 230 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 30,8 А
• Максимальная мощность рассеивания: 230 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 73 мОм
• Корпус: TO220AB, выводной монтаж
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и напряжение затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока составляет 30,8 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 73 мОм. Заряд затвора составляет 86 нКл.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220AB с выводным типом монтажа. Транзистор является униполярным с каналом типа обогащение (enhancement).

Комплектация

В комплект поставки входит 5 шт. транзисторов.