Транзистор P-MOSFET Vishay SUD50P08-25L-E3, TrenchFET, DPAK, набор 10 шт.
2 930 ₴
- В наличии
- Код: TM206880
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD50P08-25L-E3, TrenchFET, DPAK, набор 10 шт.В наличии
2 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD50P08-25L-E3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Прибор имеет максимальное напряжение затвор-исток 20 В и сопротивление в открытом состоянии 25,2 мОм. Корпус DPAK (TO252) предназначен для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: полевой P-MOSFET
- Технология: TrenchFET®
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 25,2 мОм
- Максимальная мощность рассеивания: 95 Вт
- Корпус: DPAK (TO252), поверхностный монтаж
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным P-типа с каналом обогащения. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 25,2 мОм.
Комплектация
В наборе поставляется 10 транзисторов.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK (TO252) для поверхностного монтажа. Технология TrenchFET® используется для создания структуры транзистора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 95 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 25.2 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 930 ₴