Транзистор P-MOSFET Vishay SUD08P06-155L-GE3, TrenchFET, DPAK, 20 шт.
2 650 ₴
- В наличии
- Код: TM206878
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD08P06-155L-GE3, TrenchFET, DPAK, 20 шт.В наличии
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD08P06-155L-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный по технологии TrenchFET®. Устройство имеет максимальную мощность рассеивания 20,8 Вт и сопротивление в открытом состоянии 350 мОм.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Технология: TrenchFET®
- Корпус: DPAK (TO252)
- Максимальная мощность рассеивания: 20,8 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 350 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 350 мОм, что определяет потери при протекании тока.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK (TO252) с поверхностным монтажом. Технология TrenchFET® обеспечивает специфические характеристики полевого транзистора.
Ток и заряд затвора (данные магазина)
В комплект поставки входит 20 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 20.8 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 350 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 650 ₴