Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NM60, 600 В, 37,8 А, MAX247 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NM60 — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение сток-исток до 600 В и ток стока 37,8 А. Прибор изготовлен по технологии MDmesh™ в корпусе MAX247 и имеет защиту от электростатического разряда (ESD).

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 37,8 А
• Максимальная мощность рассеивания: 460 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 55 мОм
• Корпус: MAX247, монтаж выводной
• Защита ESD, технология MDmesh™
• Количество в комплекте: 2 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В. Ток стока равен 37,8 А, а максимальный импульсный ток — 60 А. Максимальная мощность рассеивания — 460 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 55 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе MAX247 с выводным типом монтажа. Версия ESD указывает на наличие встроенной защиты от электростатического разряда. Технология изготовления: MDmesh™.

Комплектация

В комплект поставки входит 2 шт. транзисторов. Символ производителя STY60NM60 соответствует модели с каналом обогащения и униполярной поляризацией.