Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NM50N, 500 В, 3 А, 45 Вт (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NM50N — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии MDmesh™ II. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 500 В и ток стока 3 А при мощности рассеивания 45 Вт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 3 А
• Максимальная мощность рассеивания: 45 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 790 мОм
• Корпус: TO220-3, выводной монтаж
• Технология: MDmesh™ II
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и максимально допустимый ток стока 3 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 790 мОм, что определяет тепловые потери при работе. Максимальная мощность рассеивания равна 45 Вт, а напряжение затвор-исток ограничено 25 В.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Это униполярный транзистор с каналом обогащения.

Комплектация

В наборе поставляется 10 шт. транзисторов STP8NM50N.