Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NK100Z, 1000 В, 4.3 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NK100Z — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220-3. Комплект состоит из 5 штук. Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 1000 В и ток стока 4.3 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 В
• Максимально допустимый ток стока: 4.3 А
• Максимальная мощность рассеивания: 160 Вт
• Корпус: TO220-3, навесной монтаж
• Комплектация: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на высокое напряжение: максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 1000 В, а затвор-исток — 30 В. Максимальный ток стока равен 4.3 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 1850 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания — 160 Вт. Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Корпус TO220-3 предназначен для навесного монтажа. Транзистор является униполярным.