Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80Z, 800 В, 1,89 А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80Z — это полевой транзистор с обогащенным каналом (enhancement mode) в корпусе TO220-3. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и ток стока 1,89 А. В комплект входит 10 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, обогащенный канал)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 1,89 А
• Максимальная мощность рассеивания: 80 Вт
• Корпус: TO220-3, навесной монтаж
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на высокое напряжение: максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 800 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимальный ток стока равен 1,89 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 3500 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 80 Вт. Устройство изготовлено по технологии SuperMesh™ в версии ESD. Корпус TO220-3 предназначен для навесного монтажа.

Комплектация

В наборе находится 10 транзисторов STP4NK80Z.