Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7, 100 В, 120 А, 315 Вт (5 шт.)
2 210 ₴
- В наличии
- Код: TM206809
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7, 100 В, 120 А, 315 Вт (5 шт.)В наличии
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7 — это полевой транзистор с каналом обогащения и технологией DeepGATE™. В комплекте 5 шт. в корпусе TO220-3.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 120 А
- Максимальная мощность рассеивания: 315 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 2.7 мОм
- Корпус: TO220-3
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а максимально допустимый ток стока — 120 А. Максимальная мощность рассеивания равна 315 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 2.7 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Применены технологии DeepGATE™ и STripFET™ VII. Полярность транзистора — униполярная.
Комплектация
В наборе 5 транзисторов. Символ производителя: STP310N10F7.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 315 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.7 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | DeepGATE™, STripFET™ VII |
Информация для заказа
- Цена: 2 210 ₴