Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NM60N, 650 В, 11 А, TO220-3 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NM60N — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии MDmesh™ II. Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 11 А. В комплект поставки входит 10 единиц в корпусе TO220-3.

• Тип: N-MOSFET, полевой транзистор
• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 11 А (импульсный 68 А)
• Сопротивление в открытом состоянии: 190 мОм
• Корпус: TO220-3, выводной монтаж
• Комплект: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и напряжение затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока составляет 11 А, а импульсный ток может достигать 68 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 190 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 125 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Транзистор является униполярным с каналом обогащения (enhancement mode). Заряд затвора составляет 44 нКл.

Комплектация

В наборе поставляется 10 транзисторов STP24NM60N.