Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2, 600 В, 4,9 А, TO220-3 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2 — это полевой транзистор с каналом типа «обогащение» и технологией MDmesh™ M2. Максимальное напряжение сток-исток — 600 В, максимальный ток стока — 4,9 А. В комплект входит 20 штук в корпусе TO220-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 4,9 А
• Корпус: TO220-3, выводной монтаж
• Технология: MDmesh™ M2
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток (Vds) составляет 600 В, что определяет рабочий диапазон напряжений. Максимально допустимый ток стока (Id) равен 4,9 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 600 мОм, что влияет на тепловые потери при протекании тока. Максимальная мощность рассеивания — 85 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Поляризация транзистора — униполярная, канал — обогащения (enhancement mode).

Комплектация

В наборе 20 транзисторов STP10N60M2. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 25 В. Импульсный ток стока (Idm) — 30 А. Заряд затвора — 13,5 нКл.