Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA25M120DF3, 1200 В, 100 А, TO247-3 (5 шт.)
2 100 ₴
- В наличии
- Код: TM206707
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA25M120DF3, 1200 В, 100 А, TO247-3 (5 шт.)В наличии
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA25M120DF3 — полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3. Комплект состоит из 5 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Максимальный ток: 100 А
- Мощность рассеивания: 375 Вт
- Корпус: TO247-3
- Тип монтажа: штыревой
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200 В, а максимально допустимый ток коллектора — 100 А. Максимальная мощность рассеивания равна 375 Вт. Заряд затвора — 85 нКл, напряжение затвор-эмиттер — ±30 В.
Конструкция и монтаж
Прибор имеет штыревой тип монтажа (THT). Интегрированный антипараллельный диод (integrated anti-parallel diode) встроен в структуру транзистора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 100 ₴