Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW80H65DFB, 650 В, 80 А, 470 Вт, TO247-3 (набор 5 шт.)
2 520 ₴
- В наличии
- Код: TM206706
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW80H65DFB, 650 В, 80 А, 470 Вт, TO247-3 (набор 5 шт.)В наличии
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW80H65DFB — биполярный транзистор с изолированным затвором в корпусе TO247-3, тип монтажа — выводной. Основные параметры из наименования TME: 650 В, 80 А, 470 Вт. В наборе 5 шт.
- Параметры из наименования TME: 650 В, 80 А, 470 Вт
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Заряд затвора: 414 нКл
- Корпус: TO247-3
- Количество в наборе: 5 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 650 В. Максимальная мощность рассеивания — 470 Вт. Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Заряд затвора — 414 нКл. Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 470 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 300 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 520 ₴