Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF9N60M2, 650 В, 5,5 А, TO220FP (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF9N60M2 — это полевой транзистор с обогащенным каналом в корпусе TO220FP. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 5,5 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 5,5 А
• Корпус: TO220FP
• Сопротивление в открытом состоянии: 720 мОм
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и напряжение затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока составляет 5,5 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 720 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 20 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией. Заряд затвора составляет 10 нКл, а импульсный ток стока может достигать 22 А.

Комплектация

В набор поставляется 20 транзисторов STF9N60M2. Количество в комплекте: 20 шт.