Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF35N65DM2, 650 В, 20 А (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF35N65DM2 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии MDmesh™ DM2. Максимальное напряжение сток-исток: 650 В, максимальный ток стока: 20 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 20 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 110 мОм
• Корпус: TO220FP
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток стока равен 20 А, а импульсный ток может достигать 90 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 110 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 40 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 25 В. Заряд затвора составляет 56,3 нКл.

Канал и полярность

Транзистор имеет канал обогащения и является униполярным.