Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF26NM60N, 600 В, 12,6 А, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF26NM60N — это полевой транзистор с каналом типа N, выполненный по технологии MDmesh™ II. Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 12,6 А.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 12,6 А
• Максимальная мощность рассеивания: 35 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 135 мОм
• Корпус: TO220FP, выводной монтаж
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и напряжение затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока составляет 12,6 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 135 мОм, что определяет потери при протекании тока.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 35 Вт. Прибор выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Транзистор является униполярным с каналом типа N (обогащенного типа).

Технология и монтаж

Прибор выполнен по технологии MDmesh™ II. Корпус TO220FP предназначен для выводного монтажа на печатную плату.