Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N, 600 В, 5 А, DPAK — набор 20 шт.
2 920 ₴
- В наличии
- Код: TM206676
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N, 600 В, 5 А, DPAK — набор 20 шт.В наличии
2 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N — полевой транзистор с каналом обогащения (униполярный) в корпусе DPAK. Максимальное напряжение сток-исток — 600 В, максимальный ток стока — 5 А.
- Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 5 А
- Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт
- Корпус: DPAK (поверхностный монтаж)
- Сопротивление в открытом состоянии: 550 мОм
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В. Максимальный ток стока — 5 А, а мощность рассеивания — 70 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 550 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен для поверхностного монтажа в корпусе DPAK. Тип монтажа: поверхностный. Корпус: DPAK.
Комплектация и канал
В комплекте 20 шт. Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 920 ₴