Транзистор STMicroelectronics STB11NK40ZT4, N-MOSFET, 400 В, 5,67 А, D2PAK (10 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STB11NK40ZT4 — это полевой N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 400 В и ток стока 5,67 А. Прибор выполнен в корпусе D2PAK с технологией SuperMesh™ и имеет защиту от электростатического разряда (ESD).

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 В
• Максимально допустимый ток стока: 5,67 А
• Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
• Корпус: D2PAK, тип монтажа: поверхностный
• Сопротивление в открытом состоянии: 550 мОм
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 110 Вт, что определяет его тепловой режим работы. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 550 мОм. Эти характеристики соответствуют спецификации модели STB11NK40ZT4.

Конструкция и монтаж

Транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе типа D2PAK. Версия ESD указывает на наличие встроенной защиты от электростатического разряда. Используется технология SuperMesh™, указанная в спецификации производителя.

Полярность и канал транзистора

Транзистор имеет униполярную полярность и канал обогащения, что соответствует спецификации N-MOSFET.