Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM6J511NU,LF(T, uDFN6, 10 В, 19,2 мОм, набор 50 шт.)

P-канальный полевой транзистор Toshiba SSM6J511NU,LF(T в корпусе uDFN6. Максимальное напряжение затвор-исток составляет 10 В, сопротивление в открытом состоянии — 19,2 мОм.

• Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
• Корпус: uDFN6, поверхностный монтаж
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 19,2 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 1,25 Вт
• Количество в комплекте: 50 шт.

Электрические параметры

Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом p-типа. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 10 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 19,2 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 1,25 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в поверхностном корпусе uDFN6. Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда. Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD).

Комплектация

В комплекте поставляется 50 шт. транзисторов.