Транзистор Toshiba SSM3J332R,LF(T — это полевой P-канальный MOSFET в корпусе SOT23F. Устройство имеет максимальную мощность рассеивания 1 Вт и сопротивление в открытом состоянии 144 мОм.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: SOT23F, поверхностный монтаж
- Максимальная мощность рассеивания: 1 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 144 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 В
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «обогащенный» и униполярной поляризацией. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 144 мОм, что определяет потери при прохождении тока.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в поверхностном корпусе SOT23F. Версия устройства обозначена как ESD. Заряд затвора составляет 8,2 нКл.
Комплектация
В наборе поставляется 150 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимальная мощность рассеивания | 1 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 144 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23F |
Информация для заказа
- Цена: 2 360 ₴



