Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J331R,LF, SOT23F, 200 шт.
2 230 ₴
- В наличии
- Код: TM206655
Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J331R,LF, SOT23F, 200 шт.В наличии
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J331R,LF в корпусе SOT23F.
- Тип транзистора: Полевой
- Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 150 мОм
- Корпус: SOT23F
- Количество в комплекте: 200 шт.
Электрические параметры и характеристики
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом, обогащаемым типом. Максимальная мощность рассеивания составляет 2 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 8 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 150 мОм. Импульсный ток стока (Idm) — -10 А.
Конструкция и монтаж
Тип монтажа — поверхностный. Корпус компонента — SOT23F. Версия транзистора — ESD. Поляризация — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SOT23F |
Информация для заказа
- Цена: 2 230 ₴