Транзистор N-MOSFET Vishay SQD25N15-52_GE3, 150 В, 16 А, DPAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SQD25N15-52_GE3 — полевой транзистор с каналом, обогащаемым, в корпусе DPAK (TO252). В комплекте 10 шт.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 В
• Максимально допустимый ток стока: 16 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 52 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 107 Вт
• Корпус: DPAK, TO252
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 150 В, а максимально допустимый ток стока — 16 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 52 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 107 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе DPAK, TO252. Тип монтажа — поверхностный. Поляризация транзистора — униполярная. Заряд затвора составляет 34 нКл.