Транзистор P-MOSFET Vishay SQ4153EY-T1_GE3, -12В, -14А, SO8 (набор 10 шт.)
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM206619
Транзистор P-MOSFET Vishay SQ4153EY-T1_GE3, -12В, -14А, SO8 (набор 10 шт.)В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SQ4153EY-T1_GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения и униполярной проводимостью. Предназначен для поверхностного монтажа в корпусе SO8, рассчитан на максимальную мощность рассеивания 2,3 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET, полевой, униполярный
- Максимальная мощность рассеивания: 2,3 Вт
- Максимальный ток: -14 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 8,32 мОм
- Корпус: SO8, тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает при максимальном напряжении затвор-исток 8 В и выдерживает ток до -14 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 8,32 мОм. Заряд затвора равен 151 нКл.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Тип монтажа: поверхностный (SMD). Канал транзистора — обогащенный (enhancement mode).
Комплектация
В набор поставляется 10 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8.32 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴