Транзистор N-MOSFET Vishay SQ2364EES-T1_GE3, 60 В, 1,3 А, SOT23 — набор 30 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SQ2364EES-T1_GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23. Модель рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 1,3 А при мощности рассеивания 1 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 1,3 А
• Максимальная мощность рассеивания: 1 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 245 мОм
• Корпус: SOT23 (поверхностный монтаж)
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 1,3 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 1 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 245 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено значением 8 В.

Конструкция и монтаж

Устройство выполнено в поверхностном корпусе SOT23. Это полевой транзистор типа N-MOSFET с каналом обогащения и униполярной поляризацией. Версия компонента обозначена как ESD.

Комплектация и версия

В комплекте поставляется 30 шт. транзисторов. Компонент имеет версию ESD, что указывает на его спецификацию.