Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N65C3, 650 В, 13.1 А, 208 Вт (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N65C3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение сток-исток до 650 В и ток стока 13.1 А. Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ в корпусе PG-TO220-3 для штыревого монтажа.

• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 13.1 А
• Мощность рассеивания: 208 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 190 мОм
• Корпус: PG-TO220-3
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Максимальный ток стока равен 13.1 А, что определяет рабочий диапазон устройства. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) зафиксировано на уровне 190 мОм. Максимальная мощность рассеивания транзистора — 208 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™, что является ключевой особенностью этой серии. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает штыревой монтаж на плату. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

Технология и конструкция

В комплекте поставки находится 5 шт. транзисторов.