Транзистор P-MOSFET Infineon SPD50P03LGBTMA1, 150 Вт, PG-TO252-5 (набор 10 шт.)
2 300 ₴
- В наличии
- Код: TM206609
Транзистор P-MOSFET Infineon SPD50P03LGBTMA1, 150 Вт, PG-TO252-5 (набор 10 шт.)В наличии
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный полевой транзистор Infineon Technologies модели SPD50P03LGBTMA1 в корпусе PG-TO252-5. Устройство выполнено по технологии OptiMOS™ P, максимальная мощность рассеивания составляет 150 Вт. В комплекте поставляется 10 единиц.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Максимальная мощность рассеивания: 150 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 7 мОм
- Корпус: PG-TO252-5
- Тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Максимальная мощность рассеивания равна 150 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 7 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Корпус имеет типоразмер PG-TO252-5. Использована технология OptiMOS™ P.
Комплектация
В наборе содержится 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO252-5 |
| Технология | OptiMOS™ P |
Информация для заказа
- Цена: 2 300 ₴