Транзистор N-MOSFET Infineon SPD50N03S207GBTMA1, 30В, 50А, 136Вт (комплект 40 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM206608
Транзистор N-MOSFET Infineon SPD50N03S207GBTMA1, 30В, 50А, 136Вт (комплект 40 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель SPD50N03S207GBTMA1. Это полевой транзистор с максимальным током стока 50 А и напряжением сток-исток 30 В, предназначенный для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимальный ток стока: 50 А
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Мощность рассеивания: 136 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 7.3 мОм
- Корпус: PG-TO252-3
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 136 Вт. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 7.3 мОм.
Конструкция и монтаж
Изделие выполнено в корпусе PG-TO252-3. Тип монтажа — поверхностный. Используется технология OptiMOS™.
В комплекте поставляется 40 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 136 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴