Транзистор P-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1, -60 В, -30 А, 125 Вт, PG-TO252-3 (набор 20 шт.)
3 120 ₴
- В наличии
- Код: TM206607
Транзистор P-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1, -60 В, -30 А, 125 Вт, PG-TO252-3 (набор 20 шт.)В наличии
3 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1 в корпусе PG-TO252-3, технология SIPMOS™. Напряжение сток-исток — -60 В, ток стока — -30 А, максимальная мощность рассеивания — 125 Вт. В наборе 20 шт.
- Тип: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -30 А
- Мощность рассеивания: 125 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 75 мОм
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 75 мОм.
Конструкция
Тип монтажа — поверхностный. Транзистор униполярный, канал обогащаемого типа.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 120 ₴