Транзистор N-MOSFET Infineon SPB20N60C3, 650 В, 20,7 А, PG-TO263-3 (набор 10 шт.)
3 290 ₴
- В наличии
- Код: TM206603
Транзистор N-MOSFET Infineon SPB20N60C3, 650 В, 20,7 А, PG-TO263-3 (набор 10 шт.)В наличии
3 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель SPB20N60C3. Это полевой транзистор с каналом типа «обогащенный» в корпусе PG-TO263-3 для поверхностного монтажа. В комплекте 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
- Максимально допустимый ток стока: 20,7 А
- Максимальная мощность рассеивания: 208 Вт
- Корпус: PG-TO263-3 (поверхностный монтаж)
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и максимально допустимый ток стока 20,7 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 208 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 190 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™. Корпус PG-TO263-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMT). Транзистор является униполярным.
Комплектация
В наборе 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 208 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология | CoolMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 290 ₴