Транзистор NPN ONSEMI SMUN5214DW1T1G, 50 В, 0,1 А, 0,25 Вт, SOT363, 80 шт.

Транзистор NPN ONSEMI SMUN5214DW1T1G — это биполярный компонент для поверхностного монтажа. Модель имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В, ток коллектора 0,1 А и мощность рассеивания 0,25 Вт. В комплекте 80 штук.

• Тип транзистора: биполярный NPN
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А
• Максимальная мощность рассеивания: 0,25 Вт
• Корпус: SOT363 (SC70-6, SC88)
• Количество в комплекте: 80 шт.

Электрические параметры

Транзистор является биполярным с типом проводимости NPN. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В, а максимально допустимый ток коллектора — 0,1 А. Максимальная мощность рассеивания равна 0,25 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SC70-6, SC88 или SOT363. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Внутренняя структура включает резистор базы 10 кОм и резистор эмиттер-база 47 кОм.

Внутренняя структура и применение

Компонент имеет внутреннюю структуру с резистором базы 10 кОм и резистором эмиттер-база 47 кОм. Производитель указывает применение в автомобильной отрасли. В комплекте 80 транзисторов.