Транзистор ONSEMI SMUN5113DW1T1G, PNP x2, 50В, 0.1А, 0.25Вт, SOT363 (80 шт.)

Транзистор ONSEMI SMUN5113DW1T1G — это биполярный компонент типа PNP в двойном исполнении (PNP x2). Устройство имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В, ток коллектора 0.1 А и мощность рассеивания 0.25 Вт. Встроенные резисторы базы и эмиттер-база имеют номинал 47 кОм.

• Тип транзистора: биполярный PNP x2
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 0.1 А
• Максимальная мощность рассеивания: 0.25 Вт
• Корпус: SOT363 (SC70-6, SC88)
• Резисторы базы и эмиттер-база: 47 кОм
• Количество в комплекте: 80 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 50 В. Максимальный ток коллектора составляет 0.1 А, а предельная мощность рассеивания — 0.25 Вт. Компонент является биполярным, что определяет его принцип работы и подключение.

Конструкция и монтаж

Используется поверхностный тип монтажа (SMD). Корпус имеет обозначение SC70-6, SC88 или SOT363. Внутренняя схема включает резистор базы и резистор эмиттер-база с сопротивлением 47 кОм каждый.

Комплектация

В комплекте поставляется 80 штук транзисторов. Производителем является компания ONSEMI, код производителя SMUN5113DW1T1G.