Транзисторный модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM50GB12T4, 22892000, полумост, 150 А, 1,2 кВ, SEMITRANS2

Транзисторный модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM50GB12T4 (код производителя SKM50GB12T4, 22892000) в корпусе SEMITRANS2. Топология — полумост IGBT, структура — транзистор/транзистор. Максимальное обратное напряжение — 1,2 кВ, максимально допустимый ток коллектора — 150 А.

• Тип модуля: IGBT, полумост
• Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
• Максимально допустимый ток коллектора: 150 А
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Корпус: SEMITRANS2
• Монтаж: винтовой, разъемы FASTON

Управление и монтаж

Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Версия — D61. Механическое крепление модуля — винтовое, электрическое подключение — разъемы FASTON и винтовые выводы.

Применение

Применение по данным TME: ИБП (UPS), инверторы, фотовольтаика.