Транзисторный модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM200GB12T4 22892060, полумост, 600 А, 1,2 кВ, SEMITRANS3

Транзисторный модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM200GB12T4 (код производителя SKM200GB12T4 22892060) в корпусе SEMITRANS3. Топология — полумост IGBT, структура — транзистор/транзистор. Максимальное обратное напряжение — 1,2 кВ, максимально допустимый ток коллектора — 600 А.

• Тип модуля: IGBT, полумост
• Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
• Максимально допустимый ток коллектора: 600 А
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Корпус: SEMITRANS3
• Монтаж: винтовой, разъемы FASTON

Управление и монтаж

Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Версия — D56. Механическое крепление модуля — винтовое, электрическое подключение — разъемы FASTON и винтовые выводы.

Применение

Применение по данным TME: ИБП (UPS), инверторы, фотовольтаика.