Транзистор P-MOSFET Vishay SIUD401ED-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный по технологии TrenchFET®. Прибор предназначен для поверхностного монтажа в корпусе PowerPAK® 0806-3.
- Тип транзистора: Полевой
- Тип монтажа: Поверхностный
- Максимальная мощность рассеивания: 1,25 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 3500 мОм
- Корпус: PowerPAK® 0806-3
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 1,25 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 3500 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор имеет тип монтажа «Поверхностный». Корпус — PowerPAK® 0806-3. Используется технология TrenchFET®.
Дополнительные характеристики из источника магазина
В наборе 50 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 0806-3 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴

