Транзистор P-MOSFET Vishay SISS61DN-T1-GE3, комплект 20 шт.
2 950 ₴
- В наличии
- Код: TM206149
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS61DN-T1-GE3, комплект 20 шт.В наличии
2 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный полевой транзистор Vishay SISS61DN-T1-GE3 в корпусе PowerPAK® 1212-8. Устройство изготовлено по технологии TrenchFET® и предназначено для поверхностного монтажа. В комплекте поставляется 20 штук.
- Тип транзистора: полевой
- Максимальная мощность рассеивания: 42,1 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 9,8 мОм
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 42,1 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 8 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 9,8 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор имеет полевой тип и выполнен в корпусе PowerPAK® 1212-8. Производитель применил технологию TrenchFET®. Тип монтажа — поверхностный (SMD).
Комплектация
В наборе содержится 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 42.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 950 ₴