Транзистор P-MOSFET Vishay SISS27DN-T1-GE3, 36 Вт, 20 шт.
2 500 ₴
- В наличии
- Код: TM206148
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS27DN-T1-GE3, 36 Вт, 20 шт.В наличии
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS27DN-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения и технологией TrenchFET®. Прибор имеет максимальную мощность рассеивания 36 Вт и сопротивление в открытом состоянии 9 мОм.
- Тип транзистора: полевой P-MOSFET
- Технология: TrenchFET®
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
- Максимальная мощность рассеивания: 36 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 9 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Основные электрические характеристики
Транзистор является униполярным с максимально допустимым напряжением затвор-исток 20 В. Заряд затвора составляет 0,14 мкКл. Импульсный ток стока может достигать -200 А.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PowerPAK® 1212-8. Тип монтажа — поверхностный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 36 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 500 ₴