Транзистор P-MOSFET Vishay SISS23DN-T1-GE3, 20 шт.
2 980 ₴
- В наличии
- Код: TM206147
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS23DN-T1-GE3, 20 шт.В наличии
2 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS23DN-T1-GE3 с технологией TrenchFET® в комплекте из 20 штук. Устройство имеет максимальную мощность рассеивания 36 Вт и сопротивление в открытом состоянии 4.5 мОм.
- Тип транзистора: P-MOSFET (полевой)
- Максимальная мощность рассеивания: 36 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 4.5 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 В
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом обогащения и униполярной поляризацией. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 8 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 4.5 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PowerPAK® 1212-8 с поверхностным монтажом (SMD). Технология TrenchFET®. Максимальная мощность рассеивания — 36 Вт.
Комплектация и идентификация
В наборе поставляется 20 транзисторов. Символ производителя: SISS23DN-T1-GE3. Импульсный ток стока составляет -200 А, заряд затвора — 300 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 980 ₴