Транзистор P-MOSFET Vishay SIS413DN-T1-GE3, TrenchFET, 20 В (Vgs), 33 Вт, 20 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SIS413DN-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Прибор имеет максимальное напряжение затвор-исток 20 В и сопротивление в открытом состоянии 13,2 мОм.

• Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 13,2 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 33 Вт
• Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Максимальная мощность рассеивания — 33 Вт, сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 13,2 мОм.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PowerPAK® 1212-8 с поверхностным монтажом (SMD). Технология изготовления: TrenchFET®. Поляризация транзистора — униполярная, тип монтажа — поверхностный.

Комплектация и идентификация

В наборе поставляется 20 транзисторов. Символ производителя: SIS413DN-T1-GE3.