Транзистор N-MOSFET Vishay SIRC16DP-T1-GE3, 25В, 60А, PowerPAK SO8 (набор 10 шт.)
1 980 ₴
- В наличии
- Код: TM206145
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRC16DP-T1-GE3, 25В, 60А, PowerPAK SO8 (набор 10 шт.)В наличии
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
N-канальный MOSFET-транзистор Vishay SIRC16DP-T1-GE3 с технологией TrenchFET® в корпусе PowerPAK® SO8. Максимальный ток стока составляет 60 А при напряжении сток-исток 25 В. В комплекте 10 единиц.
- Ток стока: 60 А
- Напряжение сток-исток: 25 В
- Сопротивление открытого состояния: 1,4 мОм
- Корпус: PowerPAK® SO8
- Технология: TrenchFET®
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток составляет 25 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный постоянный ток стока равен 60 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 1,4 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET® в поверхностном корпусе PowerPAK® SO8. Максимальная мощность рассеивания — 34,7 Вт. Тип монтажа — поверхностный (SMD).
Дополнительные характеристики и комплектация
В наборе 10 транзисторов. Импульсный ток стока составляет 250 А, а заряд затвора — 105 нКл. Канал транзистора — обогащенный, поляризация — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 34.7 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 25 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 980 ₴