Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA28BDP-T1-GE3, 30 В, 30 А, набор 30 шт.
2 440 ₴
- В наличии
- Код: TM206144
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA28BDP-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом типа TrenchFET® в корпусе PowerPAK® SO8. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 30 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, TrenchFET®
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 30 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 12 мОм
- Корпус: PowerPAK® SO8, поверхностный монтаж
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный постоянный ток стока равен 30 А, при этом импульсный ток может достигать 90 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 12 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 11 Вт.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET® и имеет обогащенный канал (enhancement mode). Корпус PowerPAK® SO8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Полярность устройства — униполярная.
Комплектация и идентификация
В комплекте поставляется 30 шт. транзисторов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 11 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 12 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 2 440 ₴