Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA18ADP-T1-GE3, 30 В, 24,5 А, набор 30 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA18ADP-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом типа N и технологией TrenchFET®. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 24,5 А. В комплекте поставляется 30 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
• Максимально допустимый ток стока: 24,5 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 13,5 мОм
• Корпус: PowerPAK® SO8
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 24,5 А, при этом импульсный ток может достигать 70 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 13,5 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 9,4 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе PowerPAK® SO8. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode), а полярность — униполярной.

Комплектация

В наборе содержится 30 транзисторов Vishay SIRA18ADP-T1-GE3. Заряд затвора составляет 21,5 нКл. Канал транзистора является обогащаемым, а полярность — униполярной.